内部メモリーの種類

パソコンに用いられている記憶素子である内部メモリーには様々の種類のものがある。 内部メモリーは 主に半導体で作られる微小なスイッチ回路の集合体である。

(1) ROM (Read Only Memory)
ROM (ロム) とは、読み出し専用メモリー のことである。 一般に ユーザー側では自由な読み出し書き込みが出来ないように設定されている。 ROM には 主にパソコン起動時に必要なプログラム (BIOS) 等が、格納されている。
　　　　マスクROM ： 書き換え不可能
　　　　PROM (Programmable ROM) ： 書き換え可能
　　　　フラッシュメモリー ： 書き換え可能

(2) RAM (Random Access Memory)
RAM (ラム) とは、常時自由に読み出し書き込みが可能な汎用メモリーのことである。 RAM は パソコンの中で、最も主要なメモリーである。
　　　　SRAM (Static RAM) ： キャッシュに利用される高速メモリー
　　　　DRAM (Dynamic RAM) ： メイン メモリー用
　　　　SGRAM (Syncronous Graphics RAM) ： グラフィックス メモリー用

一般に アプリケーション ソフトを起動すると、ハード ディスク上に格納されていたプログラムや データが内部のメイン メモリーにロードされる。 パソコンのメイン メモリー (DRAM) 容量は、可能な限り大きい方が望ましい。 特に画像処理等のソフトでは、内部メモリーを多量に使用する傾向がある。

SRAM と DRAM
SRAMはトランジスターだけを数個組み合わせて 一つのスイッチを形成する。 一方 DRAMは 一個のトランジスターと一個のコンデンサーでもって一つのスイッチを形成する。 DRAMを作るのに必要なトランジスター数はSRAMの数分の１で済むので製造コストが安い。 しかし DRAMは リフレッシュ動作が必要となるので処理速度は遅い。 ( SRAMは DRAMより数倍高速に動作できる。) したがって DRAMは主にメインメモリーに用いられ、SRAMはキャッシュメモリーに使用される。 リフレッシュとは DRAMのコンデンサー素子を一定の時間間隔で充電する操作のことをいう。

DRAMのメモリーデータに対するアクセス
メモリーデータに対するアクセス方式には多くの種類がある。 DRAM は１回データアクセスする度に 行アドレスと列アドレスを指定する。 高速ページモードでは 一度 行アドレスを指定すると、その後アクセスするデータの行アドレスが 同じであれば列アドレスのみ指定する。 EDO DRAM では高速ページDRAMを改良して、CPUの待ち時間を減らしている。 高速ページDRAMのサイクルタイムが 35 ns (ナノ秒) 程度なのに対し、EDO DRAM では 20 ns程度と速くなっている。 SDRAMは パソコンのマザーボードのシステムクロックに同期して動作するように設計されている。 したがって SDRAMでは、マザーボードのクロック周波数を高くすると、それに応じて速く動作する。 この方式は CPUに待ち時間を与えることなく データにアクセスできる。 電力が供給されなくなると、内部メモリー (RAM) に格納されたデータは消失する。 メインメモリーの DDR SDRAM には、動作クロック周波数が 100 MHz や 200 MHz などの様々なタイプがある。 一般にコンピュータは、クロック周波数が大きいほど高速に動作するが、その反面として動作時の発熱量が大きくなる。 したがって クロック周波数が大きく高速なコンピュータは、冷却装置に対して特別な配慮が必要となる。 ECC (Error Checking and Correction) 機能付きメモリーは エラーを起こしたデータを特定して訂正することが出来る。 ECCメモリーは高価であるが、通常のメモリーより信頼度が高く、サーバー等に使用される。


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